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半導体材料
高純度ホスフィンガス
純度98 vol%の液化ホスフィンガスを多段精製により高純度化させ、半導体材料向けに利用可能な純度99.9999 vol%レベルを達成しています。用途はSiをn型半導体化させるドーピング材料、もしくはGaPやInPといった燐系化合物半導体の原料に大別できます。Si半導体はCPU、メモリ、センサーおよびパワーデバイス等の電子部品に、化合物半導体は受発光素子として、LED照明、光ディスクドライブ、さらには光通信用の各種光デバイスに利用されます。
| 品名 | CAS RN® | 構造式 | 化学名 | 別名 | 化学式 | 主な用途 | 出荷形態 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 高純度ホスフィンガス | 7803-51-2 |  | ホスフィン | 燐化水素 | PH3 | Si半導体のドーパント | 液化ガス |
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